Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy
Pobierz

Tytuł: Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy

Autor:

Kowalczyk, Anna E. ; Ornoch, Leszek ; Muszalski, Jan ; Kaniewski, Janusz ; Bąk-Misiuk, Jadwiga

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 457-463

Abstrakt:

The deep level transient spectroscopy (DLTS) method was applied to study deep centers in lattice mismatched InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy. The composition and the strain state of the layers were determined using X-ray diffraction technique. Electron trap with thermal activation energy EC – (0.06 ± 0.03) eV and electron capture cross-section se = 9.0×10–19 cm–2 have been detected in In0.524Ga0.476As layers being under tensile strain. Additionally two other centers with thermal activation energy EC – (0.10 ± 0.02) eV, and EC – (0.48 ± 0.02) eV have been revealed in In0.533Ga0.467As/InP layers subjected to small compressive strain. The electron capture cross-sections of these traps, determined from emission processes, are equal to se = 6.7×10–18 cm–2 and se = 1.6×10–14 cm–2, respectively. Due to temperature stresses, defect states in the In0.533Ga0.467As/InP layers are modified and the center EC – (0.06 ± 0.03) eV is created. This center is identical to that observed in In0.524Ga0.476As layers, as it has been confirmed by electron capture process measurements. The EC – (0.06 ± 0.03) eV state exhibits a point-like defect character.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:72810

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Temat i słowa kluczowe:

optyka InGaAs deep centers deep level transient spectroscopy (DLTS)

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

17 wrz 2019

Data dodania obiektu:

17 wrz 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

45

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl./publication/140910

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy 17 wrz 2019

Podobne

Optica Applicata
Optica Applicata

Influence of a charge region on the operation of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiodes

Jureńczyk, Jarosław Żak, Dariusz Kaniewski, Janusz Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2013
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Modification of energy bandgap in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures

Gelczuk, Łukasz Dąbrowska-Szata, Maria Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition

Przesławski, Tomasz Wolkenberg, Andrzej Kaniewski, Janusz Regiński, Kazimierz Jasik, Agata Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Some problems of molecular beam epitaxy growth of epitaxial structures of semiconductor lasers for a 980 nm band

Kosmala, Michał Regiński, Kazimierz Kosiel, Kamil Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications

Badura, Mikołaj Bielak, Katarzyna Ściana, Beata Radziewicz, Damian Pucicki, Damian Dawidowski, Wojciech Żelazna, Karolina Kudrawiec, Robert Tłaczała, Marek Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2016
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Investigation of strained InGaAs layers on GaAs substrate

Jasik, Agata Sass, Jerzy Mazur, Krystyna Wesołowski, Marek Gaj, Miron. Redakcja

2007
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region

Pucicki, Damian Zborowska-Lindert, Iwona Ściana, Beata Radziewicz, Damian Boratyński, Bogusław Gaj, Miron. Redakcja

2007
artykuł

Właściwości optyczne niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych grupy III-V rozrzedzonych azotem

Poloczek, Przemysław Misiewicz, Jan. Promotor

2011
rozprawa doktorska
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Politechnika Wrocławska (Koordynator Konsorcjum DBC)
Biblioteka Politechniki Wrocławskiej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław, Polska

Telefon

(+48) 71-320-38-30
(+48) 71-320-47-50

E-Mail

bc@pwr.edu.pl

Odwiedź nas!

https://biblioteka.pwr.edu.pl/

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji