Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy
Tytuł publikacji grupowej: Autor:Kowalczyk, Anna E. ; Ornoch, Leszek ; Muszalski, Jan ; Kaniewski, Janusz ; Bąk-Misiuk, Jadwiga
Współtwórca:Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja
Temat i słowa kluczowe:optyka ; InGaAs ; deep centers ; deep level transient spectroscopy (DLTS)
Opis:Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 457-463
Abstrakt: Wydawca:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Miejsce wydania: Data wydania: Typ zasobu: Źródło:<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Powiązania:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Prawa:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Prawa dostępu:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Lokalizacja oryginału: