Tytuł:

Resonant microcavity enhanced infrared photodetectors

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Kaniewski, Janusz ; Muszalski, Jan ; Piotrowski, Józef

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; optoelectronic device characterization, design and modeling ; III–V and II–VI semiconductors

Opis:

Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4, s. 405-413

Abstrakt:

Resonant cavity enhanced (RCE) infrared photodetectors are used in many applications due to their high quantum efficiency and large bandwidth. Therefore, wide device diversity is desired. In this paper, recent tendencies in design and fabrication of these devices are presented. Various issues for InGaAs/InAlAs/InP RCE detectors operating at 1.55 μm and HgCdTe/CdTe/GaAs RCE devices dedicated for 10.6 μm radiation detection are discussed. The detector structures were grown by means of two industry standard technologies, i.e., molecular beam epitaxy and metaloorganic chemical vapor deposition. Optimized devices can be optically integrated with monolithic microlenses.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2007

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007 ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska