Tytuł:

Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AlGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Adamowicz, Bogusława ; Miczek, Marcin ; Hashizume, Tamotsu ; Klimasek, Andrzej ; Bobek, Piotr ; Żywicki, Janusz

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger spectroscopy ; chemical in-depth profiles

Opis:

Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4, s. 327-334

Abstrakt:

AlGaN/GaN heterostructures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers were characterized electrically by capacitance-voltage measurements and chemically by Auger microscopy chemical in-depth profiling. The 2-dimensional electron gas density was estimated from C-V curves and the electronic quality of the bilayers was evaluated from C-V hysteresis. Detailed variations of Auger peaks, in particular for oxygen, silicon, nitrogen, and carbon, versus argon ion sputtering time were registered. The electronic properties of these two structures were compared with each other and to their chemistry.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2007

Typ zasobu:

artykuł

Format:

application/pdf

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007 ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska