Chen, Hsiang ; Kao, Chyuan-Haur ; Lu, Tien-Chang ; Shei, Shih-Chang
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1, s. 195-205
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; click here to follow the link ; click here to follow the link
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Jan 16, 2019
Dec 11, 2018
53
47
https://dbc.wroc.pl./publication/94798
Edition name | Date |
---|---|
Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes | Jan 16, 2019 |
Wośko, Mateusz Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Veleschuk, Vitaly Vlasenko, Alexander Kisselyuk, Maxim Vlasenko, Zoya Khmil, Denis Borshch, Vladimir Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja
Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja
Nalimov, I. P. Ovechkis, Yu. N. Fedchuk, I. U. Shakirov, A. Kh. Antonov, V. M. Zarutskii, L. P. Gaj, Miron. Redakcja
Goldys, E.M. Drozdowicz-Tomsia, K. Zhu, G. Yu, H. Jinjun, S. Motlan, M. Godlewski, M. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Magiera, A. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Wilk, Ireneusz Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja