Obiekt

Tytuł: Influence of the thermal annealing on hydrogen concentration in GaN layers – SIMS characterization

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

16 sty 2019

Data dodania obiektu:

4 kwi 2018

Liczba wyświetleń treści obiektu:

254

Liczba wyświetleń treści obiektu w formacie PDF

254

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl./publication/44835

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Podobne

×

Cytowanie

Styl cytowania:

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji