Veleschuk, Vitaly ; Vlasenko, Alexander ; Kisselyuk, Maxim ; Vlasenko, Zoya ; Khmil, Denis ; Borshch, Vladimir
Optica Applicata, Vol. 45, 2015, nr 4, s. 535-543
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
doi:10.5277/oa150409 ; oai:dbc.wroc.pl:37724
<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 45, 2015, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
16 sty 2019
18 paź 2017
40
37
https://dbc.wroc.pl./publication/41703
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature | 16 sty 2019 |
Veleschuk, Vitaly Vlasenko, Alexander Vlasenko, Zoya Petrenko, Ihor Malyi, Yevhen Borshch, Vladimir Borshch, Olena Shefer, Alexander Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Chen, Hsiang Kao, Chyuan-Haur Lu, Tien-Chang Shei, Shih-Chang Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Pishvai Bazargani, Hamed Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Aly, Arafa H. Elsayed, Hussein A. Malek, Christina Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Hui, Juanli Lu, Keqing Zhao, Chong Gao, Lixu Chen, Weijun Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Nylandsted Larsen, Arne Mesli, Abdelmadjid Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Liu, Bin Tian, Huiping Lu, Hui Ji, Yuefeng Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Srivastava, Sanjeev K. Aghajamali, Alireza Urbańczyk, Wacław. Redakcja