Struktura obiektu
Tytuł:

Properties of constricted 2DEG/metal structures in microwave electric fields

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Kozič, Antoni ; Sužiedėlis, Algirdas ; Petkun, Valerij ; Čerškus, Aurimas ; Shtrikmann, Hadas ; Kundrotas, Jurgis ; Gradauskas, Jonas ; Ašmontas, Steponas

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; 2DEG structure ; microwave electric fields ; microwave detector

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 465-470

Abstrakt:

Detection properties of asymmetrically constricted 2DEG/metal junctions were investigated at 10 GHz frequency at room and liquid nitrogen temperature. Operation of such detectors is based on non-uniform carrier heating in the constricted region. Different quality of the 2DEG channel was obtained for AlGaAs/GaAs modulation doped heterostructures with superlattice buffer structure and without it. Photoluminescence measurements exhibited effective charge accumulation in the AlGaAs/GaAs potential channel in the case of superlattice buffered structure, while in the non-buffered structure a substantial portion of excited carriers recombined in doped AlGaAs layer. The quality of the 2DEG channel was responsible for different polarity of the detected voltage as well as for different voltage sensitivity; in the case of the non-buffered structure the sensitivity reached almost 200 V/W value.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

×

Cytowanie

Styl cytowania: