Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Capacitance-transient spectroscopy on irradiation-induced defects in Ge
Pobierz

Tytuł: Capacitance-transient spectroscopy on irradiation-induced defects in Ge

Autor:

Nylandsted Larsen, Arne ; Mesli, Abdelmadjid

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3, s. 245-256

Abstrakt:

Recent studies of room-temperature irradiation-induced defects in Ge using space-charge capacitance-transient spectroscopy are reviewed. From these measurements only two defect complexes have been unambiguously identified until now: the E-center (the group-V impurity-vacancy pair) and the A-center (the interstitial oxygen-vacancy pair). However, contrary to silicon where each of these centers introduces only one energy level, in germanium the E-center has three energy levels corresponding to four charge states (=, –, 0, +), and the A-center has two levels corresponding to three charge states (=, –, 0). Another feature specific to each material is the anneal temperature. Both centers disappear below 150°C in germanium, whereas in silicon the E-center anneals out at ~150°C, depending on the charge state, and the A-center is stable up to 350°C.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2006

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:63582

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006 ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Temat i słowa kluczowe:

optyka Ge-defect deep level transient spectroscopy (DLTS) Laplace DLTS

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

3 kwi 2019

Data dodania obiektu:

3 kwi 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

53

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl./publication/117627

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Capacitance-transient spectroscopy on irradiation-induced defects in Ge 3 kwi 2019

Podobne

Optica Applicata
Optica Applicata

Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy

Kowalczyk, Anna E. Ornoch, Leszek Muszalski, Jan Kaniewski, Janusz Bąk-Misiuk, Jadwiga Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Modification of energy bandgap in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures

Gelczuk, Łukasz Dąbrowska-Szata, Maria Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Sur la forme relativiste des conditions du stigmatisme parfait

Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja

1984
czasopismo
Optica Applicata
Optica Applicata

Sur la covariance relativiste des lois de réfraction

Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja

1990
czasopismo
Optica Applicata
Optica Applicata

Two-wavelength spatial filtering based system for prescreening of cervical smears

Litwin, D. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

1994
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Mesoporous silica glass-a substrate material for non-linear optics

Kaps, Ch. Schubert, R. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

1994
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Study of the chemical stage of the phase-separated sodium borosilicate glass leaching process and the porous glass structure

Antropova, Tatiana V. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

1994
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Contents [Optica Applicata, Vol. 24, 1994, nr 3]

Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

1994
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Politechnika Wrocławska (Koordynator Konsorcjum DBC)
Biblioteka Politechniki Wrocławskiej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław, Polska

Telefon

(+48) 71-320-38-30
(+48) 71-320-47-50

E-Mail

bc@pwr.edu.pl

Odwiedź nas!

https://biblioteka.pwr.edu.pl/

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji