Title:

Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers

Group publication title:

Optica Applicata

Creator:

Wośko, Mateusz

Contributor:

Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Subject and Keywords:

optyka ; GaN ; nucleation ; recrystallization ; metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) ; nitrides ; LED ; MSM ; MESFET devices

Description:

Optica Applicata, Vol. 49, 2019, nr 1, s. 167-176

Publisher:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Place of publication:

Wrocław

Date:

2019

Resource Type:

artykuł

Resource Identifier:

doi:10.5277/oa190115

Source:

<sygn. PWr A3481II> ; click here to follow the link ; click here to follow the link

Language:

eng

Relation:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 49, 2019 ; Optica Applicata, Vol. 49, 2019, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Rights:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Access Rights:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Location:

Politechnika Wrocławska