Tytuł:

An impact of a localization of an oxide aperture within a vertical-cavity surface-emitting diode laser (VCSEL) cavity on its lasing threshold

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Sarzała, Robert P.

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; semiconductor laser ; vertical-cavity surface-emitting diode laser (VCSEL) ; oxide-confined VCSELs ; fundamental-mode operation

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 635-644

Abstrakt:

In the present paper, an impact of localization of an oxide aperture within a vertical-cavity surface-emitting diode laser (VCSEL) on its threshold operation is analyzed. As expected, a shift of the aperture from the anti-node position of the standing optical wave within a VCSEL cavity to the node position is followed by a drastic change of the wave guiding mechanism from the index guiding to the gain guiding. Index-guided VCSELs have been found to exhibit much lower threshold currents, but any increase in their active-region diameters over a relatively low critical value is followed by excitation of higher-order modes. On the other hand, the fundamental-mode operation is achieved in gain-guided VCSELs with much larger active regions but at the expense of considerably higher lasing thresholds. Therefore, a new VCSEL design, i.e., the separate confinement oxidation (SCO) VCSEL, is proposed. The SCO VCSELs are expected to combine advantages of both previous oxide-confined VCSELs, i.e., low lasing thresholds of index-guided VCSELs with the fundamental-mode operation of gain-guided ones even in the case of large active regions.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska