Tytuł:

Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Przesławski, Tomasz ; Wolkenberg, Andrzej ; Kaniewski, Janusz ; Regiński, Kazimierz ; Jasik, Agata

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; Hall sensors ; magnetoresistors ; InGaAs/InP heterostructures ; electronic transport ; geometric correction factor ; molecular beam epitaxy (MBE) ; metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 627-634

Abstrakt:

In this paper we, describe the design and fabrication process of Hall and magnetoresistor cross-shaped sensors using In0.53Ga0.47As/InP layer structures as active media. The influence of geometric correction factor GH on sensitivity parameters of these devices has been investigated. The results have been used in order to optimize the structure design behavior at temperatures ranging from 3 to 300 K. The large changes of the galvanomagnetic parameters vs. magnetic field and temperature allow these devices to be used as signal and measurement magnetic field sensors.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska