Tytuł:

Ta-doped In2O3 transparent conductive films with high transmittance and low resistance

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Wang, Biao ; Hu, LiMing ; Liu, FengMin ; Qin, Li ; Liu, Yun ; Wang, Lijun

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; sputtering ; In2O3 ; transparent conductive oxide ; thin films

Opis:

Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1, s. 25-31

Abstrakt:

Ta-doped In2O3 transparent conductive oxide (TCO) thin films are deposited on glass substrates by radio-frequency (RF) sputtering at room-temperature. The influence of sputtering power on the structural, morphologic, electrical, and optical properties of the films is investigated by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), Hall measurement, and optical transmission spectroscopy. The obtained films are polycrystalline with a cubic structure and preferentially oriented in the (222) crystallographic direction. The minimum resistivity of 2.8×10–4 Ωcm is obtained from the film deposited at the sputtering power of 170 W. The average optical transmittance of the films is over 90%.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2010

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010 ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska