Influence of a charge region on the operation of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiodes
Tytuł publikacji grupowej: Autor:Jureńczyk, Jarosław ; Żak, Dariusz ; Kaniewski, Janusz
Współtwórca: Temat i słowa kluczowe:optyka ; avalanche photodiode ; device modeling ; InGaAs
Opis:Optica Applicata, Vol. 43, 2013, nr 1, s. 39-46
Wydawca:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Miejsce wydania: Data wydania: Typ zasobu: Format: Identyfikator zasobu: Źródło:<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Powiązania:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 43, 2013 ; Optica Applicata, Vol. 43, 2013, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Prawa:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Prawa dostępu:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Lokalizacja oryginału: