Title:

Opracowanie technologii związków półprzewodnikowych na bazie InP do konstrukcji kwantowego lasera kaskadowego

Title in english:

Elaboration of the InP-based semiconductor technology for the construction of a quantum cascade laser

Creator:

Badura, Mikołaj

Contributor:

Tłaczała, Marek Jerzy. Promotor

Subject and Keywords:

epitaksja ; kwantowy laser kaskadowy ; MOVPE ; technologia półprzewodnikowa

Abstrakt:

Kwantowy laser kaskadowy jest jednym z najbardziej zaawansowanych półprzewodnikowych źródeł promieniowania. W pracy tej została opracowana technologia epitaksjalnego wzrostu elementów składowych struktury kwantowego lasera kaskadowego techniką LP-MOVPE. Przedstawiono również wpływ zastosowania opracowanej technologii na charakterystykę pracy przyrządów laserowych

Publisher:

Politechnika Wrocławska

Place of publication:

Wrocław

Date:

2022

Resource Type:

rozprawa doktorska

Language:

pol

Relation:

Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikosystemów

Rights:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Access Rights:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Rights Owner:

Własność autora

Location:

Politechnika Wrocławska