Tytuł:

Photoreflectance spectroscopy of thick GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy technique

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Syperek, Marcin ; Kudrawiec, Robert ; Misiewicz, Jan ; Korbutowicz, Ryszard ; Paszkiewicz, Regina ; Tłaczała, Marek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; GaN ; photoreflectance ; photoluminescence ; electric field

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 529-535

Abstrakt:

The room temperature photoreflectance (PR) spectroscopy was used to investigate thick GaN epitaxial layers. The GaN layers were grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technique and compared to thin GaN layer grown by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) technique on AlN buffer layer. We observed energy red shift of the PR resonance for HVPE GaN layers compared with MOVPE GaN layer. This blue shift is due to reduction of the strain in HVPE layer. In addition, weak PR features related to Franz–Keldysh oscillations (FKO) have been observed. The electric field determined from the FKO period is 28 and 71 kV/cm for MOVPE and HVPE layers, respectively.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska