Tytuł:

Some problems of molecular beam epitaxy growth of epitaxial structures of semiconductor lasers for a 980 nm band

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Kosmala, Michał ; Regiński, Kazimierz ; Kosiel, Kamil

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; InGaAs quantum-well lasers ; molecular beam epitaxy ; optical pyrometry

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 399-405

Abstrakt:

The paper deals with selected problems of molecular beam epitaxy (MBE) technology of fabrication of 980-nm strained InGaAs quantum-well (QW) lasers. Special attention has been paid to the growth of active region of such lasers. Therefore, a certain method of optimisation of the growth process is presented. It consists of two steps. First, the layer temperature is measured during the growth of the active region of the laser in several test processes. From the experimental data the optimum temperature profile of the MBE process is found. Then, a sequence of test structures are grown in different growth conditions in QWs (the temperature and the As4/InGa flux ratio are changed) and on the basis of photoluminescence measurements the best regulation parameters for the actual MBE processes are selected. The optimisation has been confirmed by fabrication and characterisation of entire semiconductor laser devices.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska