Struktura obiektu
Tytuł:

Optical beam injection methods as a tool for analysis of semiconductor structures

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Domaradzki, Jarosław ; Kaczmarek, Danuta

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; transparent semiconducting oxide ; heterojunction ; p-i-n diode ; optical beam ; induced current

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 1, s. 129-137

Abstrakt:

Optical beam injection methods, such as an optical beam induced current (OBIC) one, have several advantages. Such methods enable a comprehensive analysis of photocurrent generated at the microregion of a semiconductor material or a device by focused light beam. In the paper, examples of applications of the OBIC method for : i) examination of the silicon p-i-n diodes used in a scanning electron microscope (SEM) as a detector and ii) localization of electrically active regions at the interface of the new transparent oxide semiconductor (TOS)–semiconductor structure have been outlined.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

×

Cytowanie

Styl cytowania: