Title:

Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych

Title in english:

Investigation of epitaxial growth kinetic of In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs heterostructures dedicated to optoelectronic devices

Creator:

Pucicki, Damian

Contributor:

Tłaczała, Marek Jerzy. Promotor

Subject and Keywords:

optoelektronika - przyrządy ; azotki ; związki półprzewodnikowe

Publisher:

Politechnika Wrocławska

Place of publication:

Wrocław

Date:

2006

Resource Type:

rozprawa doktorska

Format:

application/pdf

Source:

<sygn. PWr 327274> ; click here to follow the link

Language:

pol

Relation:

Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Rights:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Access Rights:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Location:

Własność autora