Struktura obiektu
Tytuł:

Investigation of segregation by quantitative transmission electron microscopy

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Schowalter, Marco ; Rosenauer, Andreas ; Litvinov, Dimitri ; Gerthsen, Dagmar

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; quantitative TEM ; surface segregation

Opis:

Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3, s. 297-309

Abstrakt:

The segregation effect occuring during molecular beam epitaxy and metalorganic vapour phase epitaxy growth of ternary III-V semiconductor heterostructures was investigated by quantitative transmission electron microscopy (QTEM) and by simulation of optical properties. The concentration distribution of various III-V semiconductor heterostructures was measured by QTEM and averaged along the direction perpendicular to the growth direction. Resulting concentration profiles could be well fitted using the model of Muraki et al. (Muraki K., Fukatsu S., Shiraki Y., Ito R., Appl. Phys. Lett. 61(5), 1992, p. 557) yielding the segregation efficieny R. For the investigation of the effect of segregation on the photoluminescence, concentration profiles for different segregation efficiencies were simulated and photoluminescence peak energies were derived by solving Schrödinger’s equation for spatially varying potentials deduced from the measured concentration profiles.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2006

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006 ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

×

Cytowanie

Styl cytowania: