Tytuł:

GaAs absorber grown at low temperature used in passively Q-switched diode pumped solid state laser

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Wang, Yonggang ; Ma, Xiaoyu ; Wang, CuiLuan ; Lin, Tao ; Zhen, Kai ; Wang, Jun ; Zhong, Li ; Jia, YuLei ; Wei, ZhiYi

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; GaAs ; low temperature ; Q-switch ; Nd:YVO4 laser

Opis:

Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 1, s. 23-28

Abstrakt:

We report, for the first time to the best of our knowledge, on a passively Q-switched Nd:YVO4 laser with a GaAs absorber grown at low temperature (LT) by metal organic vapor phase expitaxy. Using the LT GaAs absorber as well as an output coupler, a passively Q-switched laser whose pulse duration is as short as 90 ns was obtained.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2006

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006 ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska