Tytuł:

Distribution of electronic states in amorphous Zn-P thin films on the basis of optical measurements

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Jarząbek, Bożena ; Weszka, Jan ; Cisowski, Jan

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; amorphous semiconductors ; thin films ; absorption coefficient ; model of electronic structure

Opis:

Optica Applicata, Vol. 38, 2008, nr 3, s. 575-583

Abstrakt:

Transmission and fundamental reflectivity studies, completed on amorphous Zn-P thin films, allowed us to obtain parameters describing the fundamental absorption edge, i.e., the optical pseudogap EG, Urbach energy EU and exponential edge parameter ET. All these data, together with the results of earlier transport measurements, have been utilized in developing simple models of electronic structure (distribution of electronic states) for amorphous Zn-P thin films of two compositions, i.e., Zn57P43 (near stoichiometry of Zn3P2) and Zn32P68 (near stoichiometry of ZnP2).

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2008

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 38, 2008 ; Optica Applicata, Vol. 38, 2008, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska