Tytuł:

Linewidth control by overexposure in laser lithography

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Yiyong, Liang ; Guoguang, Yang

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; linewidth ; overexposure ; laser lithography

Opis:

Optica Applicata, Vol. 38, 2008, nr 2, s. 399-404

Abstrakt:

In micro-electronic and micro-optical manufacturing, especially in the fabrication of linewidth-variation-sensitive devices, we sometimes care getting stable or precise linewidth rather than creating a thinner line. In laser lithography, the energy distribution of a focused laser spot is of Gaussian form, and the modification of an exposure dose or exposure threshold will cause linewidth variation. If the peak of energy distribution of a laser spot is a little higher than the exposure threshold of a photoresist layer, the produced linewidth may be small but unstable, and if the peak is considerably higher than the threshold, in other words in the case of overexposure, the linewidth will be relatively stable. The test was carried out in a polar laser lithographic system through a continuously changing exposure dose. The experimental result shows that the dose-induced linewidth variation velocity is different under a variant exposure dose. The higher the exposure dose, the lower the linewidth variation velocity.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2008

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 38, 2008 ; Optica Applicata, Vol. 38, 2008, nr 2 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska