Tytuł:

Modification of energy bandgap in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Gelczuk, Łukasz ; Dąbrowska-Szata, Maria

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; bandgap energy ; lattice mismatch ; deep level defects ; InGaAs heterostructures ; deep level transient spectroscopy (DLTS)

Opis:

Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4, s. 845-852

Abstrakt:

This paper addresses some physical aspects and presents experimental results concerning to phenomena which evoke modification of band structure in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures, namely the introduction of extra deep-lying energy levels in the bandgap. The deep level transient spectroscopy reveals commonly observed deep level defects in GaAs-based structures associated with native point defects as well as misfit dislocations related to strain relaxation processes.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2009

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009 ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska